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中国证券报(记者李兴才)6月20日上午,国家记忆基地二期工程在武汉东湖高新区未来科技城国家记忆基地工地开工建设。

在奠基仪式上,紫光集团和长江仓储公司董事长赵卫国介绍了该项目。

国家存储基地项目始于2016年12月30日,计划分两个阶段建设3d nand闪存芯片工厂,总投资240亿美元。其中,一期主要实现技术突破,月生产能力达到10万件;二期工程的计划生产能力为20万件/月,二期工程达到生产能力后的月生产能力为30万件。

来源:人民视窗网

标题:国家存储器基地项目二期在武汉开工

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