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[techweb]最近,sk Hynix宣布将增加其第一代10纳米制造技术(即1纳米)的dram产量,并将在今年下半年开始销售其第二代10纳米制造技术(也称为1纳米)的存储器。加速向10纳米技术的过渡将使该公司能够提高dram产量,最终降低成本,并为下一代存储器做准备。

Sk海力士将在Q2生产第二代10nm工艺内存

Sk Hynix的第一个1y纳米工艺产品将是8gb ddr4-3200芯片。与采用1x纳米制造技术制造的同类器件相比,新工艺可将尺寸缩小20%,功耗降低15%。

据报道,新的1y nm工艺不仅适用于今年将增加产量的ddr4生产线,也适用于生产ddr5、lpddr5和gddr6 dram。有鉴于此,sk Hynix必须尽快升级第二代10纳米制造工艺。

来源:人民视窗网

标题:Sk海力士将在Q2生产第二代10nm工艺内存

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