三星半导体二期项目在西安投资将超140亿美元

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近日，记者在采访位于Xi高新区的三星(中国)半导体有限公司时获悉，三星半导体高端存储芯片二期工程总投资将超过140亿美元。二期工程于2018年3月开工建设，预计今年7月竣工，2020年第一季度实现量产。

三星(中国)半导体有限公司副总裁迟在接受采访时表示，三星半导体的存储芯片项目第二阶段分为两个阶段。第一期已投资70亿美元，第二期尚未投放，但预计将超过70亿美元，总投资将超过140亿美元。

2012年，Xi高新区成功引进三星电子存储芯片项目，生产“V-NAND”闪存芯片。一期工程于2014年5月竣工投产。“项目一期计划投资70亿美元，实际总投资超过100亿美元。”迟对说:

据报道，在中国直接生产“与非”闪存芯片将使三星能够更有效地应对市场变化和客户需求。迟表示，三星半导体继续投资二期项目，表明他们对中国经济有很大信心。

来源：人民视窗网